强电介质电容器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03823181.6

申请日：

2003-02-27

公开(公告)号：

CN100349296C

公开(公告)日：

2005-10-19

发明(设计)人：

置田阳一

申请人：

申请人地址：

日本国神奈川县

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

高龙鑫;张龙哺

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983519A ,2007-06-20

[2]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1706007A ,2005-12-07

[3]

强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983462A ,2007-06-20

[4]

强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器 [P].

木岛健 .

中国专利 :CN1607650A ,2005-04-20

[5]

强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件 [P].

木岛健 ;

大桥幸司 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1532917A ,2004-09-29

[6]

强电介质电容器及其制造方法和强电介质存储装置 [P].

大桥幸司 ;

木岛健 .

中国专利 :CN1763911A ,2006-04-26

[7]

强电介质层及其制法、强电介质电容器及强电介质存储器 [P].

柄泽润一 ;

大桥幸司 ;

滨田泰彰 ;

木岛健 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1534784A ,2004-10-06

[8]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983464B ,2007-06-20

[9]

强电介质膜、电容器及它们的制造方法及强电介质存储器 [P].

大桥幸司 ;

木岛健 ;

柄沢润一 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1321442C ,2004-11-03

[10]

具有强电介质电容器的存储单元阵列及其制造方法以及强电介质存储装置 [P].

名取荣治 ;

长谷川和正 ;

小口幸一 ;

西川尚男 ;

下田达也 .

中国专利 :CN1388990A ,2003-01-01

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/105 申请日:20030227 授权公告日:20071114 终止日期:20200227
2008-12-17	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本国神奈川县变更后:日本国东京都登记生效日:20081107
2007-11-14	授权	授权
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038391817 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL038231816 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本国东京都变更后:日本神奈川县横浜市
2005-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-10-19	公开	公开
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038391818 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL038231816 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:日本神奈川县横浜市变更后:日本神奈川县横浜市