强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380101906.2

申请日：

2003-10-23

公开(公告)号：

CN1706007A

公开(公告)日：

2005-12-07

发明(设计)人：

木岛健滨田泰彰名取荣治大桥幸司

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01B312

IPC分类号：

C01G2500 C01G3300 H01L2710 H01L4118

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李香兰

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-12-07	公开	公开
2007-08-01	授权	授权
2006-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2018-10-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01B 3/12 申请日:20031023 授权公告日:20070801 终止日期:20171023

共 50 条

[1]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983464B ,2007-06-20

[2]

强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器 [P].

木岛健 .

中国专利 :CN1607650A ,2005-04-20

[3]

强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件 [P].

木岛健 ;

大桥幸司 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1532917A ,2004-09-29

[4]

强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983462A ,2007-06-20

[5]

强电介质膜、电容器及它们的制造方法及强电介质存储器 [P].

大桥幸司 ;

木岛健 ;

柄沢润一 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1321442C ,2004-11-03

[6]

强电介质层及其制法、强电介质电容器及强电介质存储器 [P].

柄泽润一 ;

大桥幸司 ;

滨田泰彰 ;

木岛健 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1534784A ,2004-10-06

[7]

强电介质薄膜及其制造方法、强电介质存储元件、强电介质压电元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1519941A ,2004-08-11

[8]

强电介质膜层叠体、强电介质存储器、压电元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 .

中国专利 :CN100385669C ,2005-11-02

[9]

强电介质电容器及其制造方法和强电介质存储装置 [P].

大桥幸司 ;

木岛健 .

中国专利 :CN1763911A ,2006-04-26

[10]

强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983519A ,2007-06-20

← 1 2 3 4 5 →