强电介质膜层叠体、强电介质存储器、压电元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510064948.4

申请日：

2005-04-12

公开(公告)号：

CN100385669C

公开(公告)日：

2005-11-02

发明(设计)人：

木岛健滨田泰彰

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L41083 B41J2045 B41J2135 C04B35491

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李香兰

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/10 申请日:20050412 授权公告日:20080430 终止日期:20200412
2005-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-11-02	公开	公开
2008-04-30	授权	授权

共 50 条

[1]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983464B ,2007-06-20

[2]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1706007A ,2005-12-07

[3]

强电介质薄膜及其制造方法、强电介质存储元件、强电介质压电元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1519941A ,2004-08-11

[4]

强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器 [P].

木岛健 .

中国专利 :CN1607650A ,2005-04-20

[5]

强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件 [P].

木岛健 ;

大桥幸司 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1532917A ,2004-09-29

[6]

强电介质存储器 [P].

大脇幸人 ;

堂前须弥子 .

中国专利 :CN1220265C ,2002-12-04

[7]

强电介质层及其制法、强电介质电容器及强电介质存储器 [P].

柄泽润一 ;

大桥幸司 ;

滨田泰彰 ;

木岛健 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1534784A ,2004-10-06

[8]

强电介质存储器件 [P].

平野博茂 .

中国专利 :CN1183166A ,1998-05-27

[9]

强电介质膜、电容器及它们的制造方法及强电介质存储器 [P].

大桥幸司 ;

木岛健 ;

柄沢润一 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1321442C ,2004-11-03

[10]

强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法 [P].

泽崎立雄 .

中国专利 :CN1545733A ,2004-11-10

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