强电介质存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02121840.4

申请日：

2002-03-05

公开(公告)号：

CN1220265C

公开(公告)日：

2002-12-04

发明(设计)人：

大脇幸人堂前须弥子

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

G11C1122

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜日新

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-12-04	公开	公开
2003-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-09-21	授权	授权
2016-04-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101657698776 IPC(主分类):H01L 27/10 专利号:ZL021218404 申请日:20020305 授权公告日:20050921 终止日期:20150305

共 50 条

[1]

强电介质半导体存储器 [P].

山口哲哉 .

中国专利 :CN1434516A ,2003-08-06

[2]

强电介质膜层叠体、强电介质存储器、压电元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 .

中国专利 :CN100385669C ,2005-11-02

[3]

强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器 [P].

木岛健 .

中国专利 :CN1607650A ,2005-04-20

[4]

交差点型强电介质存储器 [P].

长谷川和正 ;

相泽弘之 .

中国专利 :CN1612349A ,2005-05-04

[5]

强电介质存储器件 [P].

平野博茂 .

中国专利 :CN1183166A ,1998-05-27

[6]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983464B ,2007-06-20

[7]

强电介质层及其制法、强电介质电容器及强电介质存储器 [P].

柄泽润一 ;

大桥幸司 ;

滨田泰彰 ;

木岛健 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1534784A ,2004-10-06

[8]

强电介质存储器件的数据读出方法及强电介质存储器件 [P].

平野博茂 ;

浅利康二 .

中国专利 :CN1183165A ,1998-05-27

[9]

强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件 [P].

木岛健 ;

大桥幸司 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1532917A ,2004-09-29

[10]

强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法 [P].

泽崎立雄 .

中国专利 :CN1545733A ,2004-11-10

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