强电介质半导体存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02151847.5

申请日：

2002-10-25

公开(公告)号：

CN1434516A

公开(公告)日：

2003-08-06

发明(设计)人：

山口哲哉

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L27108 G11C1134

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-08-06	公开	公开
2003-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-09-06	授权	授权
2011-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101029290912 IPC(主分类):H01L 27/10 专利号:ZL021518475 申请日:20021025 授权公告日:20060906 终止日期:20091125

共 50 条

[1]

强电介质存储器 [P].

大脇幸人 ;

堂前须弥子 .

中国专利 :CN1220265C ,2002-12-04

[2]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983464B ,2007-06-20

[3]

强电介质存储器、半导体装置、强电介质存储器的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

泽崎立雄 ;

名取荣治 ;

古林智一 ;

滨田泰彰 .

中国专利 :CN1675747A ,2005-09-28

[4]

强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法 [P].

泽崎立雄 .

中国专利 :CN1545733A ,2004-11-10

[5]

强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法 [P].

泽崎立雄 .

中国专利 :CN1545734A ,2004-11-10

[6]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1706007A ,2005-12-07

[7]

强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器 [P].

木岛健 .

中国专利 :CN1607650A ,2005-04-20

[8]

交差点型强电介质存储器 [P].

长谷川和正 ;

相泽弘之 .

中国专利 :CN1612349A ,2005-05-04

[9]

强电介质存储器件 [P].

平野博茂 .

中国专利 :CN1183166A ,1998-05-27

[10]

强电介质膜层叠体、强电介质存储器、压电元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 .

中国专利 :CN100385669C ,2005-11-02

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