强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03800862.9

申请日：

2003-03-28

公开(公告)号：

CN1545734A

公开(公告)日：

2004-11-10

发明(设计)人：

泽崎立雄

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L21316 C01G2500 C01G3500

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李香兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-11-10	公开	公开
2007-01-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法 [P].

泽崎立雄 .

中国专利 :CN1545733A ,2004-11-10

[2]

强电介质存储器、半导体装置、强电介质存储器的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

泽崎立雄 ;

名取荣治 ;

古林智一 ;

滨田泰彰 .

中国专利 :CN1675747A ,2005-09-28

[3]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1706007A ,2005-12-07

[4]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983464B ,2007-06-20

[5]

强电介质半导体存储器 [P].

山口哲哉 .

中国专利 :CN1434516A ,2003-08-06

[6]

强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器 [P].

木岛健 .

中国专利 :CN1607650A ,2005-04-20

[7]

强电介质膜的形成方法以及半导体装置 [P].

立成利贵 ;

林慎一郎 .

中国专利 :CN1610076A ,2005-04-27

[8]

强电介质膜、电容器及它们的制造方法及强电介质存储器 [P].

大桥幸司 ;

木岛健 ;

柄沢润一 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1321442C ,2004-11-03

[9]

强电介质存储器 [P].

大脇幸人 ;

堂前须弥子 .

中国专利 :CN1220265C ,2002-12-04

[10]

强电介质膜层叠体、强电介质存储器、压电元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 .

中国专利 :CN100385669C ,2005-11-02

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