强电介质薄膜及其制造方法、强电介质存储元件、强电介质压电元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310124653.2

申请日：

2003-12-26

公开(公告)号：

CN1519941A

公开(公告)日：

2004-08-11

发明(设计)人：

木岛健滨田泰彰名取荣治

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L2131 H01L2182 H01L218239 H01L4108

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李香兰

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2004-08-11	公开	公开
2004-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983464B ,2007-06-20

[2]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1706007A ,2005-12-07

[3]

强电介质存储元件及其制造方法 [P].

下田达也 ;

西川尚男 .

中国专利 :CN1574287A ,2005-02-02

[4]

强电介质膜层叠体、强电介质存储器、压电元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 .

中国专利 :CN100385669C ,2005-11-02

[5]

强电介质存储元件及其制造方法 [P].

下田达也 ;

西川尚男 .

中国专利 :CN1319254A ,2001-10-24

[6]

强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件 [P].

木岛健 ;

大桥幸司 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1532917A ,2004-09-29

[7]

强电介质薄膜及其制造方法 [P].

友泽淳 ;

藤井觉 ;

藤井映志 ;

高山良一 ;

小舟正文 ;

藤井知 .

中国专利 :CN1111388A ,1995-11-08

[8]

强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器 [P].

木岛健 .

中国专利 :CN1607650A ,2005-04-20

[9]

强电介质层及其制法、强电介质电容器及强电介质存储器 [P].

柄泽润一 ;

大桥幸司 ;

滨田泰彰 ;

木岛健 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1534784A ,2004-10-06

[10]

强电介质器件 [P].

小川纯矢 ;

山内规裕 ;

松岛朝明 ;

相泽浩一 .

中国专利 :CN102859735B ,2013-01-02

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