强电介质存储元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410039795.3

申请日：

2000-06-02

公开(公告)号：

CN1574287A

公开(公告)日：

2005-02-02

发明(设计)人：

下田达也西川尚男

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L218239 H01L2710

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

浦柏明;叶恺东

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-02	公开	公开
2008-11-05	授权	授权
2017-07-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101735965424 IPC(主分类):H01L 21/82 专利号:ZL2004100397953 申请日:20000602 授权公告日:20081105 终止日期:20160602
2005-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

强电介质存储元件及其制造方法 [P].

下田达也 ;

西川尚男 .

中国专利 :CN1319254A ,2001-10-24

[2]

强电介质薄膜及其制造方法、强电介质存储元件、强电介质压电元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1519941A ,2004-08-11

[3]

强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件 [P].

木岛健 ;

大桥幸司 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1532917A ,2004-09-29

[4]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1706007A ,2005-12-07

[5]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983464B ,2007-06-20

[6]

强电介质电容器及其制造方法和强电介质存储装置 [P].

大桥幸司 ;

木岛健 .

中国专利 :CN1763911A ,2006-04-26

[7]

强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器 [P].

木岛健 .

中国专利 :CN1607650A ,2005-04-20

[8]

强电介质存储装置及其制造方法 [P].

吉川贵文 ;

三河巧 .

中国专利 :CN1264220C ,2003-04-09

[9]

强电介质存储器 [P].

大脇幸人 ;

堂前须弥子 .

中国专利 :CN1220265C ,2002-12-04

[10]

半导体强电介质存储元件的制造方法和半导体强电介质存储晶体管 [P].

酒井滋树 ;

高桥光惠 ;

楠原昌树 ;

都田昌之 ;

梅田优 ;

佐佐木善和 .

中国专利 :CN107452742A ,2017-12-08

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