发光二极管阵列

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN200430003217.5

申请日：

2004-02-09

公开(公告)号：

CN3397858D

公开(公告)日：

2004-10-13

发明(设计)人：

加藤英明松村佳苗大塚俊辅

申请人：

申请人地址：

日本国爱知县

IPC主分类号：

1499

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-10-13	授权	授权
2011-04-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101063890237 主分类号:14-99 专利号:ZL2004300032175 申请日:20040209 授权公告日:20041013 终止日期:20100209

共 50 条

[1]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN301868610S ,2012-03-21

[2]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302425264S ,2013-05-01

[3]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302022920S ,2012-08-01

[4]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN301916644S ,2012-05-16

[5]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302022840S ,2012-08-01

[6]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

杨智咏 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN304048429S ,2017-02-15

[7]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN301926508S ,2012-05-23

[8]

发光二极管阵列 [P].

巫汉敏 ;

许嘉良 ;

赵光平 ;

刘美君 .

中国专利 :CN301942839S ,2012-05-30

[9]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302022829S ,2012-08-01

[10]

发光二极管阵列 [P].

王志贤 ;

许嘉良 ;

陈怡名 ;

赖易堂 .

中国专利 :CN301982711S ,2012-07-11

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