发光二极管阵列

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201130389121.7

申请日：

2011-10-28

公开(公告)号：

CN301868610S

公开(公告)日：

2012-03-21

发明(设计)人：

叶慧君沈建赋柯淙凯

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

2604

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

马涛;冯晓燕

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-21	授权	授权
2021-11-16	专利权的终止	专利权有效期届满主分类号:26-04 申请日:20111028 授权公告日:20120321

共 50 条

[1]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302425264S ,2013-05-01

[2]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302022920S ,2012-08-01

[3]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN301916644S ,2012-05-16

[4]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302022840S ,2012-08-01

[5]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

杨智咏 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN304048429S ,2017-02-15

[6]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN301926508S ,2012-05-23

[7]

发光二极管阵列 [P].

巫汉敏 ;

许嘉良 ;

赵光平 ;

刘美君 .

中国专利 :CN301942839S ,2012-05-30

[8]

发光二极管阵列 [P].

加藤英明 ;

松村佳苗 ;

大塚俊辅 .

中国专利 :CN3397858D ,2004-10-13

[9]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302022829S ,2012-08-01

[10]

发光二极管阵列 [P].

王志贤 ;

许嘉良 ;

陈怡名 ;

赖易堂 .

中国专利 :CN301982711S ,2012-07-11

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