自对准接触孔的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610119142.5

申请日：

2006-12-05

公开(公告)号：

CN101197319A

公开(公告)日：

2008-06-11

发明(设计)人：

吴关平陈耀祖张颂周高燕

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21822

IPC分类号：

H01L21768 H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-30	授权	授权
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101241511927 IPC(主分类):H01L 21/822 专利号:ZL2006101191425 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111111
2008-06-11	公开	公开
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

自对准接触孔的工艺方法 [P].

郭振强 .

中国专利 :CN107833857A ,2018-03-23

[2]

自对准接触孔的制备方法 [P].

陈宏 ;

许昕睿 .

中国专利 :CN106206421A ,2016-12-07

[3]

具有自对准节接触孔的半导体器件及其制造方法 [P].

金志永 ;

朴济民 .

中国专利 :CN1474436A ,2004-02-11

[4]

带有自对准接触孔的半导体器件及其制备方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103681604A ,2014-03-26

[5]

小尺寸接触孔制造方法 [P].

刘宇翔 ;

高国磊 ;

张磊 ;

王晓日 .

中国专利 :CN119133090A ,2024-12-13

[6]

CIS芯片漏源接触孔的自对准刻蚀方法 [P].

张栋 ;

黄鹏 .

中国专利 :CN111725247A ,2020-09-29

[7]

自对准半导体接触结构及其制造方法 [P].

金成澔 ;

朴东健 ;

李昌燮 ;

崔晶东 ;

金成玟 ;

李信爱 .

中国专利 :CN1499578A ,2004-05-26

[8]

自对准金属互连线的制造方法 [P].

邹立 ;

罗飞 .

中国专利 :CN102034734A ,2011-04-27

[9]

结合自对准接触制程以及自对准硅化物制程的方法 [P].

黄水钦 .

中国专利 :CN1191624C ,2003-09-03

[10]

接触孔的制造方法 [P].

严磊 ;

孙淑苗 .

中国专利 :CN110211921A ,2019-09-06

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