一种制备银纳米线以及银纳米线薄膜的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201611015055.5
申请日
2016-11-18
公开(公告)号
CN106513702A
公开(公告)日
2017-03-22
发明(设计)人
王耀斌
申请人
申请人地址
710065 陕西省西安市高新区沣惠南路36号橡树街区1号楼10610室
IPC主分类号
B22F924
IPC分类号
B22F100 H01B514 B82Y3000 B82Y4000
代理机构
西安亿诺专利代理有限公司 61220
代理人
贾苗苗
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
银纳米线及其制备方法、银纳米线薄膜及复合薄膜 [P]. 
檀满林 ;
田勇 ;
王晓伟 ;
符冬菊 ;
陈建军 .
中国专利 :CN108971510A ,2018-12-11
[2]
银纳米线的制备方法 [P]. 
郭兴忠 ;
陈天锐 ;
汪海风 ;
白盛池 ;
杨辉 .
中国专利 :CN106735294A ,2017-05-31
[3]
一种超长银纳米线的制备方法 [P]. 
何微微 ;
王可 ;
滕大勇 ;
冉云霞 ;
吴摞 ;
叶长辉 .
中国专利 :CN103433503B ,2013-12-11
[4]
一种银纳米线的制备方法 [P]. 
严锋 ;
张也 ;
张伟 .
中国专利 :CN104607655A ,2015-05-13
[5]
一种银纳米线的制备方法 [P]. 
岳佐星 .
中国专利 :CN106001610A ,2016-10-12
[6]
银纳米线薄膜的制备方法 [P]. 
陈志雄 ;
李奇琳 ;
彭哲伟 ;
陈建良 ;
罗晓雯 ;
王新月 ;
甘堃 .
中国专利 :CN110517829B ,2019-11-29
[7]
银纳米线薄膜的制备方法 [P]. 
陈志雄 ;
李奇琳 ;
彭哲伟 ;
罗晓雯 ;
陈建良 ;
甘堃 ;
陈超云 .
中国专利 :CN110580973B ,2019-12-17
[8]
银纳米线薄膜的制备方法 [P]. 
陈志雄 ;
李奇琳 ;
王新月 ;
陈建良 ;
罗晓雯 ;
甘堃 ;
陈超云 .
中国专利 :CN110517828A ,2019-11-29
[9]
大批量制备银纳米线的方法 [P]. 
陶宇 ;
陶国良 ;
吴海平 .
中国专利 :CN101310899B ,2008-11-26
[10]
用于制备银纳米线的方法 [P]. 
D.C.林奇 ;
W.D.拉姆斯登 ;
J.布林 ;
J.张 .
中国专利 :CN104768679A ,2015-07-08