银纳米线薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910744920.7

申请日：

2019-08-13

公开(公告)号：

CN110517829B

公开(公告)日：

2019-11-29

发明(设计)人：

陈志雄李奇琳彭哲伟陈建良罗晓雯王新月甘堃

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区桃源街道珠光社区珠光路珠光创新科技园4栋1层103

IPC主分类号：

H01B1300

IPC分类号：

H01B514

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

徐汉华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-29	公开	公开
2021-12-07	授权	授权
2019-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20190813

共 50 条

[1]

银纳米线薄膜的制备方法 [P].

陈志雄 ;

李奇琳 ;

彭哲伟 ;

罗晓雯 ;

陈建良 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110580973B ,2019-12-17

[2]

银纳米线导电薄膜的制备方法 [P].

陈建良 ;

李奇琳 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110634620A ,2019-12-31

[3]

银纳米线薄膜及其制备方法 [P].

李奇琳 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN111986850B ,2024-08-23

[4]

银纳米线薄膜及其制备方法 [P].

李奇琳 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN111986850A ,2020-11-24

[5]

银纳米线导电薄膜及其制备方法 [P].

李奇琳 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110689995A ,2020-01-14

[6]

银纳米线导电薄膜及其制备方法 [P].

李奇琳 ;

王新月 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110718334A ,2020-01-21

[7]

银纳米线薄膜的制备方法 [P].

陈志雄 ;

李奇琳 ;

王新月 ;

陈建良 ;

罗晓雯 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110517828A ,2019-11-29

[8]

银纳米线及其制备方法、银纳米线薄膜及复合薄膜 [P].

檀满林 ;

田勇 ;

王晓伟 ;

符冬菊 ;

陈建军 .

中国专利 :CN108971510A ,2018-12-11

[9]

银纳米线薄膜及其制备方法 [P].

王新月 ;

李奇琳 ;

甘堃 .

中国专利 :CN114334274B ,2024-03-08

[10]

银纳米线薄膜及其制备方法 [P].

王新月 ;

李奇琳 ;

甘堃 .

中国专利 :CN114334274A ,2022-04-12

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