银纳米线导电薄膜及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910903366.2
申请日
2019-09-24
公开(公告)号
CN110689995A
公开(公告)日
2020-01-14
发明(设计)人
李奇琳 甘堃 陈超云
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市南山区桃源街道珠光社区珠光路珠光创新科技园4栋1层103
IPC主分类号
H01B502
IPC分类号
H01B514 H01B1300
代理机构
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人
方良
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
银纳米线导电薄膜及其制备方法 [P]. 
李奇琳 ;
王新月 ;
甘堃 ;
陈超云 .
中国专利 :CN110718334A ,2020-01-21
[2]
银纳米线导电薄膜的制备方法 [P]. 
陈建良 ;
李奇琳 ;
甘堃 ;
陈超云 .
中国专利 :CN110634620A ,2019-12-31
[3]
银纳米线薄膜及其制备方法 [P]. 
李奇琳 ;
甘堃 ;
陈超云 .
中国专利 :CN111986850B ,2024-08-23
[4]
银纳米线薄膜及其制备方法 [P]. 
李奇琳 ;
甘堃 ;
陈超云 .
中国专利 :CN111986850A ,2020-11-24
[5]
银纳米线薄膜及其制备方法 [P]. 
王新月 ;
李奇琳 ;
甘堃 .
中国专利 :CN114334274B ,2024-03-08
[6]
银纳米线薄膜及其制备方法 [P]. 
王新月 ;
李奇琳 ;
甘堃 .
中国专利 :CN114334274A ,2022-04-12
[7]
银纳米线透明导电薄膜 [P]. 
操芳芳 ;
金良茂 ;
汤永康 ;
王东 ;
曹欣 ;
马立云 .
中国专利 :CN206595046U ,2017-10-27
[8]
银纳米线薄膜的制备方法 [P]. 
陈志雄 ;
李奇琳 ;
彭哲伟 ;
陈建良 ;
罗晓雯 ;
王新月 ;
甘堃 .
中国专利 :CN110517829B ,2019-11-29
[9]
银纳米线薄膜的制备方法 [P]. 
陈志雄 ;
李奇琳 ;
彭哲伟 ;
罗晓雯 ;
陈建良 ;
甘堃 ;
陈超云 .
中国专利 :CN110580973B ,2019-12-17
[10]
银纳米线及其制备方法、银纳米线薄膜及复合薄膜 [P]. 
檀满林 ;
田勇 ;
王晓伟 ;
符冬菊 ;
陈建军 .
中国专利 :CN108971510A ,2018-12-11