银纳米线薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111551448.9

申请日：

2021-12-17

公开(公告)号：

CN114334274B

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

王新月李奇琳甘堃

申请人：

深圳市善柔科技有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市光明区凤凰街道塘尾社区恒泰裕大厦1栋507

IPC主分类号：

H01B13/00

IPC分类号：

H01B5/14

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

方良

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

银纳米线薄膜及其制备方法 [P].

王新月 ;

李奇琳 ;

甘堃 .

中国专利 :CN114334274A ,2022-04-12

[2]

银纳米线及其制备方法、银纳米线薄膜及复合薄膜 [P].

檀满林 ;

田勇 ;

王晓伟 ;

符冬菊 ;

陈建军 .

中国专利 :CN108971510A ,2018-12-11

[3]

银纳米线导电薄膜及其制备方法 [P].

李奇琳 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110689995A ,2020-01-14

[4]

银纳米线导电薄膜及其制备方法 [P].

李奇琳 ;

王新月 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110718334A ,2020-01-21

[5]

银纳米线薄膜及其制备方法 [P].

李奇琳 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN111986850B ,2024-08-23

[6]

银纳米线薄膜及其制备方法 [P].

李奇琳 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN111986850A ,2020-11-24

[7]

银纳米线薄膜的制备方法 [P].

陈志雄 ;

李奇琳 ;

彭哲伟 ;

陈建良 ;

罗晓雯 ;

王新月 ;

甘堃 .

中国专利 :CN110517829B ,2019-11-29

[8]

银纳米线薄膜的制备方法 [P].

陈志雄 ;

李奇琳 ;

彭哲伟 ;

罗晓雯 ;

陈建良 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110580973B ,2019-12-17

[9]

银纳米线薄膜的制备方法 [P].

陈志雄 ;

李奇琳 ;

王新月 ;

陈建良 ;

罗晓雯 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110517828A ,2019-11-29

[10]

一种制备银纳米线以及银纳米线薄膜的方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN106513702A ,2017-03-22

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