非对称金属‑氧化物‑半导体晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310257740.9

申请日：

2009-11-20

公开(公告)号：

CN103353909B

公开(公告)日：

2013-10-16

发明(设计)人：

A·拉特纳库玛尔刘骏董晓琪相奇

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

酆迅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101539330094 IPC(主分类):G06F 17/50 专利申请号:2013102577409 申请日:20091120
2017-01-18	授权	授权
2013-10-16	公开	公开

共 50 条

[1]

非对称金属-氧化物-半导体晶体管 [P].

A·拉特纳库玛尔 ;

刘骏 ;

董晓琪 ;

相奇 .

中国专利 :CN101740627B ,2010-06-16

[2]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

蔡娟娟 ;

冉晓雯 ;

孟心飞 ;

叶隽正 .

中国专利 :CN102820339A ,2012-12-12

[3]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[4]

高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

吉田宏 .

中国专利 :CN117594630A ,2024-02-23

[5]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

田威廉 ;

曾昭玮 ;

陈富信 .

中国专利 :CN101572270A ,2009-11-04

[6]

窄宽度金属氧化物半导体晶体管 [P].

安正豪 .

中国专利 :CN1992343A ,2007-07-04

[7]

金属氧化物半导体晶体管结构 [P].

李名镇 ;

郑道 ;

杨明宗 .

中国专利 :CN101771078A ,2010-07-07

[8]

高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

许世明 ;

黄志仁 ;

郑敦仁 ;

苏潮源 .

中国专利 :CN101364611A ,2009-02-11

[9]

金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

林焕顺 ;

蔡振华 ;

萧维沧 ;

孟宪樑 ;

施泓林 .

中国专利 :CN1953208A ,2007-04-25

[10]

金属氧化物半导体晶体管控制 [P].

皮埃尔·萨达特 .

中国专利 :CN101147323A ,2008-03-19

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