一种Si、Te元素共同掺杂FeSe超导体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111505836.3

申请日：

2021-12-10

公开(公告)号：

CN114164485A

公开(公告)日：

2022-03-11

发明(设计)人：

刘禹彤赵勇秦佳佳周大进

申请人：

申请人地址：

350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城福建师范大学科技处

IPC主分类号：

C30B1104

IPC分类号：

C30B2948 C30B3102

代理机构：

福州君诚知识产权代理有限公司 35211

代理人：

戴雨君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	公开	公开
2022-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 11/04 申请日:20211210

共 50 条

[1]

一种FeSe基超导体及制备方法 [P].

钟文武 ;

陈基根 ;

郭建刚 ;

刘彦平 ;

申士杰 ;

林志萍 .

中国专利 :CN109650351A ,2019-04-19

[2]

一种新型有机合成FeSe超导体前驱粉末的方法 [P].

柴青林 ;

华志强 ;

王磊 ;

屈飞 .

中国专利 :CN102556984A ,2012-07-11

[3]

Sn添加FeSe1/2Te1/2的超导体提高超导性能的方法 [P].

马宗青 ;

陈宁 ;

刘永长 ;

蔡奇 .

中国专利 :CN104445097B ,2015-03-25

[4]

一种银掺杂铁基超导体的制备方法 [P].

闫镔杰 ;

索红莉 ;

刘志勇 .

中国专利 :CN102354572A ,2012-02-15

[5]

一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法 [P].

闫果 ;

刘国庆 ;

王庆阳 ;

熊晓梅 ;

李成山 .

中国专利 :CN101343184B ,2009-01-14

[6]

MgB2超导体材料的制备方法 [P].

高召顺 ;

张义邴 .

中国专利 :CN1569633A ,2005-01-26

[7]

Pb掺杂二维钒基单晶超导体的制备方法 [P].

倪浩 ;

刘禹彤 ;

赵勇 .

中国专利 :CN114808101A ,2022-07-29

[8]

一种超导体 [P].

袁望画 .

中国专利 :CN105938739A ,2016-09-14

[9]

一种铁基超导体的制备方法 [P].

高召顺 ;

马衍伟 ;

齐彦鹏 ;

王雷 ;

王栋梁 ;

张现平 ;

姚超 ;

王春雷 .

中国专利 :CN102082010B ,2011-06-01

[10]

一种FeTeSe多晶超导体的制备方法 [P].

潘伯津 ;

任治安 .

中国专利 :CN110970170A ,2020-04-07

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