Sn添加FeSe1/2Te1/2的超导体提高超导性能的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410625687.8

申请日：

2014-11-08

公开(公告)号：

CN104445097B

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

马宗青陈宁刘永长蔡奇

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号天津大学

IPC主分类号：

C01B1900

IPC分类号：

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

王丽

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	授权	授权
2015-03-25	公开	公开
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607356564 IPC(主分类):C01B 19/00 专利申请号:2014106256878 申请日:20141108

共 50 条

[1]

一种添加Mg提高FeSe超导转变温度的方法 [P].

马宗青 ;

刘永长 ;

陈宁 ;

蔡奇 .

中国专利 :CN103360073A ,2013-10-23

[2]

低温快速制备MgB2超导体的方法 [P].

刘永长 ;

马宗青 ;

赵倩 ;

余黎明 .

中国专利 :CN101314544A ,2008-12-03

[3]

提高超导体线材中铜/超导体比率的方法 [P].

W·G·马兰希克 ;

S·洪 .

中国专利 :CN1714412A ,2005-12-28

[4]

MgB2超导体材料的制备方法 [P].

高召顺 ;

张义邴 .

中国专利 :CN1569633A ,2005-01-26

[5]

金属Sn掺杂MgB2超导体及低温快速制备方法 [P].

刘永长 ;

姜海 ;

马宗青 ;

董治中 ;

余黎明 .

中国专利 :CN101591171A ,2009-12-02

[6]

金属Sn掺杂MgB2超导体及高温快速制备方法 [P].

刘永长 ;

姜海 ;

马宗青 ;

董治中 ;

余黎明 .

中国专利 :CN101591172A ,2009-12-02

[7]

一种Si、Te元素共同掺杂FeSe超导体材料的方法 [P].

刘禹彤 ;

赵勇 ;

秦佳佳 ;

周大进 .

中国专利 :CN114164485A ,2022-03-11

[8]

强磁场性能得到提高的超导体、其制造方法、以及包含该超导体的MRI仪器 [P].

金溶进 .

中国专利 :CN101765399A ,2010-06-30

[9]

一种提高超导带材超导性能的方法 [P].

朱炎昌 ;

马衍伟 ;

王栋樑 ;

张现平 ;

刘聪 .

中国专利 :CN117831852A ,2024-04-05

[10]

通过球磨粉末氧化控制并烧结高载流MgB2超导体的方法 [P].

刘永长 ;

马宗青 ;

霍洁 ;

高志明 ;

余黎明 .

中国专利 :CN101607822A ,2009-12-23

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