互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510126978.3

申请日：

2005-11-29

公开(公告)号：

CN1979807A

公开(公告)日：

2007-06-13

发明(设计)人：

周珮玉杨闵杰洪文瀚

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

孙世伟 ;

邹世芳 ;

廖俊雄 ;

周珮玉 .

中国专利 :CN101051624A ,2007-10-10

[2]

互补式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

洪文瀚 ;

黄正同 ;

李坤宪 ;

丁世汎 ;

郑礼贤 ;

吴孟益 ;

石忠民 ;

郑子铭 ;

梁佳文 .

中国专利 :CN101286478A ,2008-10-15

[3]

半导体元件、互补金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

洪国信 .

中国专利 :CN101154594A ,2008-04-02

[4]

双载子互补式金属氧化物半导体元件 [P].

柯志欣 ;

王子睿 ;

陈宏玮 ;

葛崇祜 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101266969A ,2008-09-17

[5]

互补式金属氧化物半导体元件及其制作方法 [P].

李志成 ;

李凯霖 ;

颜翊哲 .

中国专利 :CN109390338A ,2019-02-26

[6]

互补式金属氧化物半导体元件的制造方法 [P].

叶秋显 ;

杨建伦 ;

简金城 ;

洪连发 ;

高昀成 .

中国专利 :CN102386136B ,2012-03-21

[7]

互补式金属氧化物半导体晶体管元件及其制作方法 [P].

林建廷 ;

陈亮玮 ;

许哲华 ;

李孟麟 ;

张惠贞 ;

萧维沧 .

中国专利 :CN1909233A ,2007-02-07

[8]

互补式金属氧化物半导体反相器 [P].

孙文堂 ;

胡珍仪 .

中国专利 :CN1316621C ,2004-10-13

[9]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

O·格卢斯陈克夫 ;

M·P·别良斯基 ;

J·A·曼德尔曼 ;

B·B·多里斯 .

中国专利 :CN1812101A ,2006-08-02

[10]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

亚历山大·赖茨尼赛克 ;

德文德拉·K·萨德纳 ;

刘孝诚 .

中国专利 :CN101055851B ,2007-10-17

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