双载子互补式金属氧化物半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710140999.X

申请日：

2007-08-15

公开(公告)号：

CN101266969A

公开(公告)日：

2008-09-17

发明(设计)人：

柯志欣王子睿陈宏玮葛崇祜李文钦

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2706 H01L27092 H01L2712

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

陈晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-09-17	公开	公开
2011-06-08	授权	授权

共 50 条

[1]

互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

周珮玉 ;

杨闵杰 ;

洪文瀚 .

中国专利 :CN1979807A ,2007-06-13

[2]

互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

孙世伟 ;

邹世芳 ;

廖俊雄 ;

周珮玉 .

中国专利 :CN101051624A ,2007-10-10

[3]

互补式金属氧化物半导体元件的制造方法 [P].

叶秋显 ;

杨建伦 ;

简金城 ;

洪连发 ;

高昀成 .

中国专利 :CN102386136B ,2012-03-21

[4]

互补式金属氧化物半导体反相器 [P].

孙文堂 ;

胡珍仪 .

中国专利 :CN1316621C ,2004-10-13

[5]

互补式金属氧化物半导体元件及其制作方法 [P].

李志成 ;

李凯霖 ;

颜翊哲 .

中国专利 :CN109390338A ,2019-02-26

[6]

互补式金属氧化物半导体图像传感器 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN100550404C ,2008-06-18

[7]

互补式金属氧化物半导体影像传感器 [P].

张守仁 ;

廖洺汉 ;

陈旻政 ;

庄尚勋 .

中国专利 :CN117577649A ,2024-02-20

[8]

互补式金属氧化物半导体反相器 [P].

季明华 .

中国专利 :CN1129181C ,2000-05-10

[9]

互补式金属氧化物半导体的制造方法 [P].

蔡孟锦 ;

李大为 .

中国专利 :CN1347150A ,2002-05-01

[10]

双极互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路及方法 [P].

陈孝贤 .

中国专利 :CN100438018C ,2004-09-29

← 1 2 3 4 5 →