一种生长Ce：YAG单晶荧光材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310369824.1

申请日：

2013-08-22

公开(公告)号：

CN103469306A

公开(公告)日：

2013-12-25

发明(设计)人：

曹顿华董永军梁月山

申请人：

申请人地址：

215345 江苏省苏州市昆山市淀山湖镇威猛路15号

IPC主分类号：

C30B2928

IPC分类号：

C30B1100 C30B1114

代理机构：

北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411

代理人：

高文迪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-25	公开	公开
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583876445 IPC(主分类):C30B 29/28 专利申请号:2013103698241 申请日:20130822
2017-03-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101747578671 IPC(主分类):C30B 29/28 专利申请号:2013103698241 申请公布日:20131225

共 50 条

[1]

一种生长大尺寸板状Ce:Yb:YAG单晶的方法 [P].

张灵 ;

丁雨憧 ;

张月 ;

田野 ;

牟荣星 ;

张婷婷 .

中国专利 :CN118932477A ,2024-11-12

[2]

一种Ce：YAG多晶荧光体的制作方法 [P].

曹顿华 ;

董永军 ;

梁月山 .

中国专利 :CN103468264B ,2013-12-25

[3]

一种生长梯度掺杂Yb: YAG单晶的方法 [P].

顾跃 ;

丁雨憧 .

中国专利 :CN113463195B ,2021-10-01

[4]

一种制备YAG:Ce稀土荧光粉的方法 [P].

宋浩亮 ;

杨秀芳 ;

罗颂科 ;

杨力勋 ;

秦翰 ;

王俊伟 .

中国专利 :CN102391870A ,2012-03-28

[5]

一种生长在Ce:YAG单晶衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

向卫东 ;

蒋举涛 ;

梁晓娟 .

中国专利 :CN108269889A ,2018-07-10

[6]

一种α-NaYF4单晶体的生长方法 [P].

夏海平 ;

杨硕 ;

姜永章 ;

张加忠 ;

符立 ;

董艳明 ;

李珊珊 ;

张约品 .

中国专利 :CN104264223A ,2015-01-07

[7]

一种磷化铟单晶的生长装置及其生长方法 [P].

卢鹏荐 ;

曾小龙 ;

张林 ;

袁珊珊 .

中国专利 :CN118854457A ,2024-10-29

[8]

一种Ce,Gd:YAG单晶复合K2SiF6∶Mn4+红色荧光粉的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108929689A ,2018-12-04

[9]

一种低温固相制备YAG:Ce荧光粉的方法 [P].

刘茜 ;

胡月 ;

刘光辉 ;

周真真 .

中国专利 :CN107760303B ,2018-03-06

[10]

一种YAG单晶包层制备方法 [P].

王宇 ;

顾鹏 ;

梁振兴 .

中国专利 :CN114703546A ,2022-07-05

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