一种Ce:YAG多晶荧光体的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310369769.6
申请日
2013-08-22
公开(公告)号
CN103468264B
公开(公告)日
2013-12-25
发明(设计)人
曹顿华 董永军 梁月山
申请人
申请人地址
215345 江苏省苏州市昆山市淀山湖镇威猛路15号
IPC主分类号
C09K1180
IPC分类号
C30B2806 C30B2928
代理机构
北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411
代理人
高文迪
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种生长Ce:YAG单晶荧光材料的方法 [P]. 
曹顿华 ;
董永军 ;
梁月山 .
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[2]
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[3]
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胡辰 ;
石云 ;
姜本学 ;
李江 ;
刘文斌 ;
寇华敏 ;
潘裕柏 ;
冯锡琪 ;
郭景坤 .
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[4]
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许文涛 ;
洪茂椿 ;
郭旺 ;
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[5]
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杨秀芳 ;
罗颂科 ;
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[6]
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[8]
气体放电管的荧光体层形成方法和荧光体层支承构件的制作方法 [P]. 
渡海章 ;
山田齐 ;
石本学 ;
篠田传 .
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[9]
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大地智之 ;
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[10]
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