一种复合型沟槽栅肖特基器件结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310381189.9

申请日：

2013-08-28

公开(公告)号：

CN103456627A

公开(公告)日：

2013-12-18

发明(设计)人：

郑晨炎马清杰陈采龚大卫

申请人：

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L29872 H01L2906

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	公开	公开
2016-04-06	授权	授权
2014-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101569922035 IPC(主分类):H01L 21/329 专利申请号:2013103811899 申请日:20130828
2016-06-15	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101734301407 IPC(主分类):H01L 21/329 专利申请号:2013103811899 变更事项:发明人变更前:郑晨炎;马清杰;陈采;龚大卫变更后:郑晨焱;马清杰;陈采;龚大卫
2019-02-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/329 变更事项:专利权人变更前:中航（重庆）微电子有限公司变更后:华润微电子（重庆）有限公司变更事项:地址变更前:401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号变更后:401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

共 50 条

[1]

沟槽型肖特基器件结构及其制造方法 [P].

郑晨炎 ;

张小辛 ;

傅静 .

中国专利 :CN103632959B ,2014-03-12

[2]

一种穿通型沟槽肖特基器件结构及其制造方法 [P].

郑晨炎 ;

王东 .

中国专利 :CN103474348B ,2013-12-25

[3]

一种沟槽型肖特基功率器件结构及其制造方法 [P].

郑晨炎 ;

陈采 ;

龚大卫 .

中国专利 :CN103456796A ,2013-12-18

[4]

一种双栅沟槽型肖特基器件结构及制造方法 [P].

郑晨炎 ;

马清杰 ;

陈采 ;

龚大卫 .

中国专利 :CN103474347A ,2013-12-25

[5]

一种沟槽型肖特基器件及其制造方法 [P].

夏华忠 ;

诸建周 ;

李健 ;

黄传伟 .

中国专利 :CN113299767B ,2021-08-24

[6]

肖特基器件结构及其制造方法 [P].

陈茜 ;

蒋建 .

中国专利 :CN109004035A ,2018-12-14

[7]

肖特基器件结构及其制造方法 [P].

陈茜 ;

蒋建 .

中国专利 :CN109004035B ,2024-02-13

[8]

沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法 [P].

常虹 .

中国专利 :CN113517341A ,2021-10-19

[9]

应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅及其制备方法 [P].

郭晓波 ;

胡荣星 .

中国专利 :CN104282543A ,2015-01-14

[10]

一种沟槽结构肖特基器件 [P].

王颖 ;

徐立坤 ;

曹菲 ;

刘云涛 ;

邵雷 .

中国专利 :CN102222701A ,2011-10-19

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