一种双栅沟槽型肖特基器件结构及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310382398.5

申请日：

2013-08-28

公开(公告)号：

CN103474347A

公开(公告)日：

2013-12-25

发明(设计)人：

郑晨炎马清杰陈采龚大卫

申请人：

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L29872 H01L2906

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-13	授权	授权
2014-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101570128575 IPC(主分类):H01L 21/329 专利申请号:2013103823985 申请日:20130828
2013-12-25	公开	公开
2019-02-01	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/329 变更事项:专利权人变更前:中航（重庆）微电子有限公司变更后:华润微电子（重庆）有限公司变更事项:地址变更前:401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号变更后:401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

共 50 条

[1]

一种复合型沟槽栅肖特基器件结构及其制造方法 [P].

郑晨炎 ;

马清杰 ;

陈采 ;

龚大卫 .

中国专利 :CN103456627A ,2013-12-18

[2]

沟槽型肖特基器件结构及其制造方法 [P].

郑晨炎 ;

张小辛 ;

傅静 .

中国专利 :CN103632959B ,2014-03-12

[3]

一种沟槽型肖特基功率器件结构及其制造方法 [P].

郑晨炎 ;

陈采 ;

龚大卫 .

中国专利 :CN103456796A ,2013-12-18

[4]

一种穿通型沟槽肖特基器件结构及其制造方法 [P].

郑晨炎 ;

王东 .

中国专利 :CN103474348B ,2013-12-25

[5]

沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法 [P].

常虹 .

中国专利 :CN113517341A ,2021-10-19

[6]

优化结构的空腔型沟槽肖特基功率器件及其制造方法 [P].

王东 ;

郑晨焱 .

中国专利 :CN105789329B ,2016-07-20

[7]

一种沟槽型肖特基器件及其制造方法 [P].

夏华忠 ;

诸建周 ;

李健 ;

黄传伟 .

中国专利 :CN113299767B ,2021-08-24

[8]

一种沟槽型器件沟槽栅制备方法以及沟槽型器件沟槽栅 [P].

吴军民 ;

王耀华 ;

高明超 .

中国专利 :CN112002635A ,2020-11-27

[9]

沟槽型功率器件的沟槽栅结构 [P].

常虹 .

中国专利 :CN211455690U ,2020-09-08

[10]

一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王彩琳 ;

孙丞 .

中国专利 :CN101540338A ,2009-09-23

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