掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980013951.3

申请日：

2019-02-13

公开(公告)号：

CN111742259A

公开(公告)日：

2020-10-02

发明(设计)人：

谷口和丈前田仁大久保亮

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G03F134

IPC分类号：

G03F720 H01L213065 C23C1406

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王利波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/34 申请日:20190213
2020-10-02	公开	公开

共 50 条

[1]

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

野泽顺 .

日本专利 :CN113242995B ,2024-07-16

[2]

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

野泽顺 ;

穐山圭司 .

日本专利 :CN115769144B ,2025-08-05

[3]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

宍户博明 ;

桥本雅广 .

中国专利 :CN112189167A ,2021-01-05

[4]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

宍戸博明 ;

前田仁 .

中国专利 :CN114521245A ,2022-05-20

[5]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

宍戸博明 ;

谷口和丈 .

中国专利 :CN111801618A ,2020-10-20

[6]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

宍户博明 ;

前田仁 ;

桥本雅广 .

中国专利 :CN112166376A ,2021-01-01

[7]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

野泽顺 .

中国专利 :CN113242995A ,2021-08-10

[8]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

野泽顺 .

中国专利 :CN114245880A ,2022-03-25

[9]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

宍户博明 ;

桥本雅广 .

日本专利 :CN112189167B ,2024-05-03

[10]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

野泽顺 .

日本专利 :CN114245880B ,2024-05-14

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