多层电子组件和介电组合物

被引：0

申请号：

CN202110918200.5

申请日：

2021-08-11

公开(公告)号：

CN114678218A

公开(公告)日：

2022-06-28

发明(设计)人：

金庆植李钟焕朴柾玧咸泰瑛徐仁泰朴宰成

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G430

IPC分类号：

H01G4012 H01G412

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

薛丞丞;何巨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-28	公开	公开

共 50 条

[1]

多层电子组件和介电组合物 [P].

咸泰瑛 .

中国专利 :CN114628155A ,2022-06-14

[2]

多层电子组件和介电组合物 [P].

权亨纯 ;

金亨旭 ;

陈慧珍 ;

具本亨 .

韩国专利 :CN120032999A ,2025-05-23

[3]

介电组合物和多层电子组件 [P].

尹基明 ;

郑东俊 ;

朴宰成 ;

咸泰瑛 ;

权亨纯 ;

金钟翰 ;

金亨旭 .

中国专利 :CN109748581B ,2019-05-14

[4]

多层电子组件和介电组合物 [P].

尹硕晛 ;

金珍友 ;

田仁浩 ;

李朱熙 .

中国专利 :CN115376826A ,2022-11-22

[5]

介电组合物、介电材料和多层电子组件 [P].

朴宰成 ;

金亨旭 ;

权亨纯 ;

金锺翰 ;

金正烈 .

中国专利 :CN112542317A ,2021-03-23

[6]

多层陶瓷电子组件和介电陶瓷组合物 [P].

崔斗源 ;

赵志弘 ;

禹锡均 .

中国专利 :CN111029142B ,2020-04-17

[7]

介电组合物和包括该介电组合物的多层电子组件 [P].

田喜善 ;

南洪棋 ;

李济熹 ;

洪智秀 ;

白承仁 ;

朴宰成 .

中国专利 :CN114613597A ,2022-06-10

[8]

介电组合物和包括其的多层电子组件 [P].

咸泰瑛 ;

赵志弘 ;

白承仁 ;

权亨纯 .

中国专利 :CN115424860A ,2022-12-02

[9]

介电组合物和包括其的多层电子组件 [P].

咸泰瑛 ;

赵志弘 ;

白承仁 ;

权亨纯 .

中国专利 :CN112151267B ,2020-12-29

[10]

介电组合物、介电元件、电子组件和层压电子组件 [P].

M.广濑 ;

T.井川 ;

G.田内 .

中国专利 :CN106605282B ,2017-04-26

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