介电组合物、介电元件、电子组件和层压电子组件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201580048585.7
申请日
2015-09-08
公开(公告)号
CN106605282B
公开(公告)日
2017-04-26
发明(设计)人
M.广濑 T.井川 G.田内
申请人
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
H01G412
IPC分类号
H01G430
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
林毅斌;周李军
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
介电组合物、介电元件、电子部件和层压电子部件 [P]. 
田内古史 ;
井村智也 ;
广濑政和 .
中国专利 :CN105934419A ,2016-09-07
[2]
介电组合物、介电材料和多层电子组件 [P]. 
朴宰成 ;
金亨旭 ;
权亨纯 ;
金锺翰 ;
金正烈 .
中国专利 :CN112542317A ,2021-03-23
[3]
基于铋钠锶钛酸盐的介电组合物、其介电元件、电子组件和层叠电子组件 [P]. 
寺田智宏 ;
坚木裕 ;
井村智也 .
中国专利 :CN107851514B ,2018-03-27
[4]
基于铋钠锶钛酸盐的介电组合物、其介电元件、电子组件和层叠电子组件 [P]. 
寺田智宏 ;
坚木裕 ;
井村智也 .
中国专利 :CN111875373B ,2020-11-03
[5]
多层电子组件和介电组合物 [P]. 
咸泰瑛 .
中国专利 :CN114628155A ,2022-06-14
[6]
多层电子组件和介电组合物 [P]. 
金庆植 ;
李钟焕 ;
朴柾玧 ;
咸泰瑛 ;
徐仁泰 ;
朴宰成 .
中国专利 :CN114678218A ,2022-06-28
[7]
多层电子组件和介电组合物 [P]. 
尹硕晛 ;
金珍友 ;
田仁浩 ;
李朱熙 .
中国专利 :CN115376826A ,2022-11-22
[8]
多层电子组件和介电组合物 [P]. 
权亨纯 ;
金亨旭 ;
陈慧珍 ;
具本亨 .
韩国专利 :CN120032999A ,2025-05-23
[9]
介电组合物和多层电子组件 [P]. 
尹基明 ;
郑东俊 ;
朴宰成 ;
咸泰瑛 ;
权亨纯 ;
金钟翰 ;
金亨旭 .
中国专利 :CN109748581B ,2019-05-14
[10]
介电组成、介电元件、电子部件和层压电子部件 [P]. 
G.田内 ;
M.广濑 ;
T.井川 ;
T.寺田 .
中国专利 :CN107851516A ,2018-03-27