基于铋钠锶钛酸盐的介电组合物、其介电元件、电子组件和层叠电子组件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010624911.7
申请日
2016-05-24
公开(公告)号
CN111875373B
公开(公告)日
2020-11-03
发明(设计)人
寺田智宏 坚木裕 井村智也
申请人
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
C04B3547
IPC分类号
C04B35475 C04B35462 C04B3550 H01G4008 H01G412 H01G4228 H01G430
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
蔡胜有;苏虹
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
基于铋钠锶钛酸盐的介电组合物、其介电元件、电子组件和层叠电子组件 [P]. 
寺田智宏 ;
坚木裕 ;
井村智也 .
中国专利 :CN107851514B ,2018-03-27
[2]
介电组合物、介电元件、电子组件和层压电子组件 [P]. 
M.广濑 ;
T.井川 ;
G.田内 .
中国专利 :CN106605282B ,2017-04-26
[3]
介电组合物、介电材料和多层电子组件 [P]. 
朴宰成 ;
金亨旭 ;
权亨纯 ;
金锺翰 ;
金正烈 .
中国专利 :CN112542317A ,2021-03-23
[4]
多层电子组件和介电组合物 [P]. 
权亨纯 ;
金亨旭 ;
陈慧珍 ;
具本亨 .
韩国专利 :CN120032999A ,2025-05-23
[5]
介电组合物和包括其的多层电子组件 [P]. 
咸泰瑛 ;
赵志弘 ;
白承仁 ;
权亨纯 .
中国专利 :CN115424860A ,2022-12-02
[6]
介电组合物和包括其的多层电子组件 [P]. 
咸泰瑛 ;
赵志弘 ;
白承仁 ;
权亨纯 .
中国专利 :CN112151267B ,2020-12-29
[7]
介电组合物、介电元件、电子部件和层叠电子部件 [P]. 
井村智也 ;
田内古史 ;
广濑政和 .
中国专利 :CN105916829A ,2016-08-31
[8]
介电组合物、介电元件、电子部件和层叠电子部件 [P]. 
井村智也 ;
寺田智宏 .
中国专利 :CN107710361B ,2018-02-16
[9]
多层电子组件和介电组合物 [P]. 
咸泰瑛 .
中国专利 :CN114628155A ,2022-06-14
[10]
多层电子组件和介电组合物 [P]. 
金庆植 ;
李钟焕 ;
朴柾玧 ;
咸泰瑛 ;
徐仁泰 ;
朴宰成 .
中国专利 :CN114678218A ,2022-06-28