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单晶片刻蚀方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200610106125.8
申请日：
2006-07-19
公开(公告)号：
CN100530557C
公开(公告)日：
2007-03-28
发明(设计)人：
古屋田荣
桥井友裕
村山克彦
高石和成
加藤健夫
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L21306
IPC分类号：
C23F114
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
肖春京
法律状态：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2010-02-17 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更事项:专利权人 变更前:株式会社上睦可 变更后:胜高股份有限公司 变更事项:地址 变更前:日本东京都 变更后:日本东京都 |
| 2007-05-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2009-08-19 | 授权 | 授权 |
| 2007-03-28 | 公开 | 公开 |