晶片刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410070867.8

申请日：

2024-01-17

公开(公告)号：

CN117995673A

公开(公告)日：

2024-05-07

发明(设计)人：

季凡汪健王玉新丁佳赵雁雁郭海亮姚道州

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01L21/02

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

赵薇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20240117
2024-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

晶片刻蚀方法 [P].

董耀旗 ;

孔蔚然 ;

郭国超 ;

徐爱斌 .

中国专利 :CN101673682B ,2010-03-17

[2]

单晶片刻蚀方法 [P].

古屋田荣 ;

桥井友裕 ;

村山克彦 ;

高石和成 ;

加藤健夫 .

中国专利 :CN100530557C ,2007-03-28

[3]

一种晶片刻蚀方法 [P].

丁佳 ;

王毅 .

中国专利 :CN109585281A ,2019-04-05

[4]

一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀方法 [P].

徐亚琴 ;

李保振 .

中国专利 :CN108648995A ,2018-10-12

[5]

一种晶片刻蚀方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111816604A ,2020-10-23

[6]

一种半导体集成电路硅晶片刻蚀方法 [P].

张承兴 .

中国专利 :CN113782417A ,2021-12-10

[7]

一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置及其刻蚀方法 [P].

许海渐 ;

王海荣 .

中国专利 :CN115020181A ,2022-09-06

[8]

基片刻蚀方法 [P].

蒋中伟 .

中国专利 :CN103832965B ,2014-06-04

[9]

基片刻蚀方法 [P].

符雅丽 ;

王春 ;

邢涛 ;

杨盟 .

中国专利 :CN103915330B ,2014-07-09

[10]

基片刻蚀方法 [P].

李成强 .

中国专利 :CN103854992A ,2014-06-11

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