一种二维MoS2纳米片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910472239.1

申请日：

2019-05-31

公开(公告)号：

CN110028103A

公开(公告)日：

2019-07-19

发明(设计)人：

蒋连福董文英

申请人：

申请人地址：

211100 江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园智汇路300号B单元二楼

IPC主分类号：

C01G3906

IPC分类号：

C01G1900 C01G4100 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360

代理人：

刘兴华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01G 39/06 申请公布日:20190719
2019-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 39/06 申请日:20190531
2019-07-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维MoS2纳米片的制备方法 [P].

解仁国 ;

周淼 ;

张卓磊 ;

张颖 ;

杨文胜 .

中国专利 :CN105523585A ,2016-04-27

[2]

一种二维纳米结构MoS2纳米片的制备方法 [P].

程志林 ;

吴沛蓉 ;

刘赞 .

中国专利 :CN107055615A ,2017-08-18

[3]

一种规则二维MoS2纳米片的水热制备方法 [P].

何宏平 ;

杨宜坪 ;

吴逍 ;

苏小丽 ;

朱建喜 ;

朱润良 ;

梁晓亮 ;

陶奇 .

中国专利 :CN108408781A ,2018-08-17

[4]

一种MoS2/碳纳米片的制备方法 [P].

郑春明 ;

马超 ;

吕霈雨 .

中国专利 :CN110817842A ,2020-02-21

[5]

一种高浓度MoS2纳米片的制备方法 [P].

蒋连福 ;

董文英 .

中国专利 :CN110203973A ,2019-09-06

[6]

一种少层MoS2纳米片的制备方法 [P].

蔡克峰 ;

唐贵 .

中国专利 :CN106976911B ,2017-07-25

[7]

一种基于液相分散的二维MoS2纳米片的制备方法 [P].

王荣国 ;

何亚飞 ;

郝立峰 ;

陆小龙 ;

刘文博 ;

矫维成 ;

杨帆 .

中国专利 :CN103771517B ,2014-05-07

[8]

一种纳米片状MoS2的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111217393A ,2020-06-02

[9]

单层MoS2纳米片、制备方法以及纳米药物载体 [P].

尹文艳 ;

谷战军 ;

赵宇亮 .

中国专利 :CN103705928B ,2014-04-09

[10]

一种二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料的制备方法 [P].

利明 ;

袁小亲 ;

阮浩然 .

中国专利 :CN106892458A ,2017-06-27

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