一种基于液相分散的二维MoS2纳米片的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410022747.7
申请日
2014-01-17
公开(公告)号
CN103771517B
公开(公告)日
2014-05-07
发明(设计)人
王荣国 何亚飞 郝立峰 陆小龙 刘文博 矫维成 杨帆
申请人
申请人地址
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
IPC主分类号
C01G3906
IPC分类号
B82B300 B82Y4000
代理机构
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109
代理人
侯静
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种二维MoS2纳米片的制备方法 [P]. 
解仁国 ;
周淼 ;
张卓磊 ;
张颖 ;
杨文胜 .
中国专利 :CN105523585A ,2016-04-27
[2]
一种二维MoS2纳米片的制备方法 [P]. 
蒋连福 ;
董文英 .
中国专利 :CN110028103A ,2019-07-19
[3]
一种二维纳米结构MoS2纳米片的制备方法 [P]. 
程志林 ;
吴沛蓉 ;
刘赞 .
中国专利 :CN107055615A ,2017-08-18
[4]
一种规则二维MoS2纳米片的水热制备方法 [P]. 
何宏平 ;
杨宜坪 ;
吴逍 ;
苏小丽 ;
朱建喜 ;
朱润良 ;
梁晓亮 ;
陶奇 .
中国专利 :CN108408781A ,2018-08-17
[5]
一种二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料的制备方法 [P]. 
利明 ;
袁小亲 ;
阮浩然 .
中国专利 :CN106892458A ,2017-06-27
[6]
一种基于MoS2纳米片制备压裂液的方法 [P]. 
侯吉瑞 ;
屈鸣 ;
许杰 ;
黄保州 ;
张华南 ;
赵家祥 ;
许海洋 ;
梁方伟 .
中国专利 :CN110452678A ,2019-11-15
[7]
一种单层MoS2纳米片溶液的制备方法 [P]. 
阎鑫 ;
赵鹏 ;
艾涛 .
中国专利 :CN102583547A ,2012-07-18
[8]
一种高浓度MoS2纳米片的制备方法 [P]. 
蒋连福 ;
董文英 .
中国专利 :CN110203973A ,2019-09-06
[9]
一种制备少层MoS2纳米片的方法 [P]. 
邢秋菊 ;
包少魁 ;
熊华萍 ;
占玉霞 ;
邹建平 ;
罗胜联 .
中国专利 :CN104609474A ,2015-05-13
[10]
一种MoS2/碳纳米片的制备方法 [P]. 
郑春明 ;
马超 ;
吕霈雨 .
中国专利 :CN110817842A ,2020-02-21