一种单层MoS2纳米片溶液的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210057757.5

申请日：

2012-03-07

公开(公告)号：

CN102583547A

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

阎鑫赵鹏艾涛

申请人：

申请人地址：

710064 陕西省西安市南二环中段

IPC主分类号：

C01G3906

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

西安恒泰知识产权代理事务所 61216

代理人：

李婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101327317560 IPC(主分类):C01G 39/06 专利申请号:2012100577575 申请日:20120307
2013-12-04	授权	授权
2012-07-18	公开	公开
2017-04-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101715159311 IPC(主分类):C01G 39/06 专利号:ZL2012100577575 申请日:20120307 授权公告日:20131204 终止日期:20160307

共 50 条

[1]

单层MoS2纳米片、制备方法以及纳米药物载体 [P].

尹文艳 ;

谷战军 ;

赵宇亮 .

中国专利 :CN103705928B ,2014-04-09

[2]

一种制备少层MoS2纳米片的方法 [P].

邢秋菊 ;

包少魁 ;

熊华萍 ;

占玉霞 ;

邹建平 ;

罗胜联 .

中国专利 :CN104609474A ,2015-05-13

[3]

一种MoS2/碳纳米片的制备方法 [P].

郑春明 ;

马超 ;

吕霈雨 .

中国专利 :CN110817842A ,2020-02-21

[4]

一种单层石墨型氮化碳纳米片溶液的制备方法 [P].

阎鑫 ;

郭豪彦 ;

赵佳伟 ;

王慧 ;

陶婧颖 ;

王轩 ;

赵鹏 ;

艾涛 ;

苏兴华 .

中国专利 :CN104401948A ,2015-03-11

[5]

一种单层MoS2与石墨烯复合纳米材料的制备方法 [P].

陈卫祥 ;

王臻 ;

黄国创 ;

马琳 .

中国专利 :CN102701192B ,2012-10-03

[6]

一种规则二维MoS2纳米片的水热制备方法 [P].

何宏平 ;

杨宜坪 ;

吴逍 ;

苏小丽 ;

朱建喜 ;

朱润良 ;

梁晓亮 ;

陶奇 .

中国专利 :CN108408781A ,2018-08-17

[7]

一种高浓度MoS2纳米片的制备方法 [P].

蒋连福 ;

董文英 .

中国专利 :CN110203973A ,2019-09-06

[8]

一种少层MoS2纳米片的制备方法 [P].

蔡克峰 ;

唐贵 .

中国专利 :CN106976911B ,2017-07-25

[9]

一种手性MoS2纳米片及其制备方法 [P].

周启星 ;

袁鹏 ;

胡献刚 .

中国专利 :CN111592044B ,2020-08-28

[10]

一种Pt/MoS2纳米片的电镀制备方法 [P].

王江丽 ;

汤文 ;

张光振 ;

段宇晨 ;

谢宇 .

中国专利 :CN115029751A ,2022-09-09

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