一种手性MoS2纳米片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010540507.1

申请日：

2020-06-15

公开(公告)号：

CN111592044B

公开(公告)日：

2020-08-28

发明(设计)人：

周启星袁鹏胡献刚

申请人：

申请人地址：

300350 天津市津南区海河教育园区同砚路38号

IPC主分类号：

C01G3906

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

程小艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	公开	公开
2020-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 39/06 申请日:20200615
2022-05-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MoS2/碳纳米片的制备方法 [P].

郑春明 ;

马超 ;

吕霈雨 .

中国专利 :CN110817842A ,2020-02-21

[2]

一种含硫空位MoS2纳米片及其制备方法 [P].

周玥 ;

孟超 ;

杜希文 .

中国专利 :CN109453791A ,2019-03-12

[3]

一种单层MoS2纳米片溶液的制备方法 [P].

阎鑫 ;

赵鹏 ;

艾涛 .

中国专利 :CN102583547A ,2012-07-18

[4]

一种高浓度MoS2纳米片的制备方法 [P].

蒋连福 ;

董文英 .

中国专利 :CN110203973A ,2019-09-06

[5]

一种少层MoS2纳米片的制备方法 [P].

蔡克峰 ;

唐贵 .

中国专利 :CN106976911B ,2017-07-25

[6]

一种制备少层MoS2纳米片的方法 [P].

邢秋菊 ;

包少魁 ;

熊华萍 ;

占玉霞 ;

邹建平 ;

罗胜联 .

中国专利 :CN104609474A ,2015-05-13

[7]

一种Pt/MoS2纳米片的电镀制备方法 [P].

王江丽 ;

汤文 ;

张光振 ;

段宇晨 ;

谢宇 .

中国专利 :CN115029751A ,2022-09-09

[8]

单层MoS2纳米片、制备方法以及纳米药物载体 [P].

尹文艳 ;

谷战军 ;

赵宇亮 .

中国专利 :CN103705928B ,2014-04-09

[9]

一种超小MoS2纳米片及其制备方法和应用 [P].

王世革 ;

赵九龙 ;

黄明贤 ;

胡飞 ;

李貌 ;

邹多武 .

中国专利 :CN106075438A ,2016-11-09

[10]

一种二维MoS2纳米片的制备方法 [P].

解仁国 ;

周淼 ;

张卓磊 ;

张颖 ;

杨文胜 .

中国专利 :CN105523585A ,2016-04-27

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