一种单层MoS2与石墨烯复合纳米材料的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210187882.8
申请日
2012-06-08
公开(公告)号
CN102701192B
公开(公告)日
2012-10-03
发明(设计)人
陈卫祥 王臻 黄国创 马琳
申请人
申请人地址
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
IPC主分类号
C01B3104
IPC分类号
C01G3906 B82Y3000
代理机构
杭州求是专利事务所有限公司 33200
代理人
韩介梅
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
一种单层MoS2与石墨烯复合纳米材料的水热制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
黄国创 ;
王臻 ;
马琳 .
中国专利 :CN102698774A ,2012-10-03
[2]
一种单层WS2与石墨烯复合纳米材料的制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
王臻 ;
黄国创 ;
马琳 .
中国专利 :CN102694172A ,2012-09-26
[3]
一种锂离子电池单层MoS2/石墨烯复合电极的制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
王臻 ;
黄国创 ;
马琳 .
中国专利 :CN102723463B ,2012-10-10
[4]
一种MoS2纳米带与石墨烯复合纳米材料及其制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
王臻 ;
马琳 ;
黄国创 .
中国专利 :CN102709559B ,2012-10-03
[5]
锂离子电池类石墨烯MoS2/石墨烯复合电极的制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
黄国创 ;
王臻 ;
马琳 .
中国专利 :CN102683647B ,2012-09-19
[6]
一种单层WS2与石墨烯复合材料的水热制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
黄国创 ;
王臻 ;
马琳 ;
李赫 .
中国专利 :CN102694171B ,2012-09-26
[7]
一种MoS2纳米瓦/石墨烯复合纳米材料及其制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
马琳 ;
黄国创 ;
王臻 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104091936B ,2014-10-08
[8]
一种石墨烯与MoS2的复合纳米材料及其制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
陈涛 ;
常焜 ;
李辉 ;
马琳 .
中国专利 :CN102142548B ,2011-08-03
[9]
锂离子电池MoS2纳米带与石墨烯复合电极及其制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
王臻 ;
马琳 ;
黄国创 .
中国专利 :CN102709520A ,2012-10-03
[10]
MoS2带孔纳米片/石墨烯复合纳米材料及制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
叶剑波 ;
马琳 ;
马英杰 .
中国专利 :CN104103829B ,2014-10-15