一种高比表面积氧化钨薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110416466.X

申请日：

2021-04-19

公开(公告)号：

CN113185136A

公开(公告)日：

2021-07-30

发明(设计)人：

王伟

申请人：

申请人地址：

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

IPC主分类号：

C03C1723

IPC分类号：

C03C1727 C01G4102 G02F11524

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

王艾华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C03C 17/23 申请日:20210419
2021-07-30	公开	公开

共 50 条

[1]

高比表面积单晶氧化钨的制备方法 [P].

朱建 ;

王松玲 ;

卞振锋 ;

曹锋雷 ;

李和兴 .

中国专利 :CN101619488B ,2010-01-06

[2]

一种高比表面积氧化钨的制备方法 [P].

龙本夫 ;

王玥 ;

林高安 ;

钟志超 ;

周喜诚 ;

曹友东 ;

汤雪辉 ;

池水清 .

中国专利 :CN116947104B ,2025-10-14

[3]

一种高比表面积氧化钨负载钯银催化剂及其制备方法和应用 [P].

陈德平 ;

廖婷婷 ;

陈营 ;

魏燕红 ;

林红英 ;

胡志华 ;

何逊 ;

李文杰 .

中国专利 :CN120497362A ,2025-08-15

[4]

一种高比表面积的类球形纳米氧化钨及其制备方法 [P].

钟俊 ;

金家成 ;

刘莉 ;

朱鹏 ;

张龙辉 ;

傅雨 .

中国专利 :CN118954604B ,2025-01-17

[5]

一种高比表面积低残氨黄色氧化钨及其制备方法 [P].

李继红 ;

胡祖辉 ;

邓冲 ;

卢瑞平 ;

陈亿 ;

谢忠 .

中国专利 :CN112479259B ,2021-03-12

[6]

一种高比表面积的类球形纳米氧化钨及其制备方法 [P].

钟俊 ;

金家成 ;

刘莉 ;

朱鹏 ;

张龙辉 ;

傅雨 .

中国专利 :CN118954604A ,2024-11-15

[7]

一种高比表面积硅胶及其制备方法和应用 [P].

房昊 ;

刘海霞 ;

史晓玲 ;

崔玉玲 ;

孙博雅 ;

赵雅琪 .

中国专利 :CN118515289A ,2024-08-20

[8]

一种图案化、高比表面积纳米薄膜及其制备方法和应用 [P].

赵强 ;

李学伟 ;

刘荣升 ;

职啸林 .

中国专利 :CN115579190A ,2023-01-06

[9]

一种超高比表面积氧化钨纳米球的制备方法 [P].

孙正明 ;

李洋 ;

张培根 ;

杨莉 ;

许雪芹 .

中国专利 :CN116443935B ,2025-07-04

[10]

一种高比表面积低残氨黄色氧化钨制备用煅烧工艺 [P].

周红水 ;

李祀韬 .

中国专利 :CN113912125A ,2022-01-11

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