一种超高比表面积氧化钨纳米球的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310379855.9

申请日：

2023-04-11

公开(公告)号：

CN116443935B

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

孙正明李洋张培根杨莉许雪芹

申请人：

东南大学

申请人地址：

211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

IPC主分类号：

C01G41/02

IPC分类号：

B82Y40/00

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

柏尚春

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种连续结晶APT制备超高比表面积氧化钨的方法 [P].

冯浩 ;

周伟 ;

黄毅 ;

唐思艺 ;

张振振 .

中国专利 :CN118651893A ,2024-09-17

[2]

高比表面积单晶氧化钨的制备方法 [P].

朱建 ;

王松玲 ;

卞振锋 ;

曹锋雷 ;

李和兴 .

中国专利 :CN101619488B ,2010-01-06

[3]

一种高比表面积的类球形纳米氧化钨及其制备方法 [P].

钟俊 ;

金家成 ;

刘莉 ;

朱鹏 ;

张龙辉 ;

傅雨 .

中国专利 :CN118954604B ,2025-01-17

[4]

一种高比表面积的类球形纳米氧化钨及其制备方法 [P].

钟俊 ;

金家成 ;

刘莉 ;

朱鹏 ;

张龙辉 ;

傅雨 .

中国专利 :CN118954604A ,2024-11-15

[5]

小粒径、超高比表面积纳米氧化硅的制备方法 [P].

徐翠云 ;

李翔 .

中国专利 :CN104817092B ,2015-08-05

[6]

一种高比表面积氧化钨薄膜及其制备方法和应用 [P].

王伟 .

中国专利 :CN113185136A ,2021-07-30

[7]

一种超高比表面积中空炭纳米球及其制备方法与应用 [P].

吴丁财 ;

徐飞 ;

黄思琦 ;

符若文 ;

唐志伟 .

中国专利 :CN104591127A ,2015-05-06

[8]

一种高比表面积低残氨黄色氧化钨及其制备方法 [P].

李继红 ;

胡祖辉 ;

邓冲 ;

卢瑞平 ;

陈亿 ;

谢忠 .

中国专利 :CN112479259B ,2021-03-12

[9]

大比表面积氧化锰空心纳米球的制备方法 [P].

刘宗怀 ;

唐秀花 .

中国专利 :CN101343081A ,2009-01-14

[10]

具有小粒径、超高比表面积的纳米氧化硅 [P].

徐翠云 ;

李翔 .

中国专利 :CN104828828A ,2015-08-12

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