一种连续结晶APT制备超高比表面积氧化钨的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410851745.2

申请日：

2024-06-28

公开(公告)号：

CN118651893A

公开(公告)日：

2024-09-17

发明(设计)人：

冯浩周伟黄毅唐思艺张振振

申请人：

湖北绿钨资源循环有限公司

申请人地址：

448000 湖北省荆门市掇刀区常青路8号

IPC主分类号：

C01G41/02

IPC分类号：

代理机构：

深圳中细软知识产权代理有限公司 44528

代理人：

艾青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省荆门市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 41/02申请日:20240628
2024-09-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种超高比表面积氧化钨纳米球的制备方法 [P].

孙正明 ;

李洋 ;

张培根 ;

杨莉 ;

许雪芹 .

中国专利 :CN116443935B ,2025-07-04

[2]

高比表面积单晶氧化钨的制备方法 [P].

朱建 ;

王松玲 ;

卞振锋 ;

曹锋雷 ;

李和兴 .

中国专利 :CN101619488B ,2010-01-06

[3]

一种高比表面积低残氨黄色氧化钨及其制备方法 [P].

李继红 ;

胡祖辉 ;

邓冲 ;

卢瑞平 ;

陈亿 ;

谢忠 .

中国专利 :CN112479259B ,2021-03-12

[4]

一种高比表面积的类球形纳米氧化钨及其制备方法 [P].

钟俊 ;

金家成 ;

刘莉 ;

朱鹏 ;

张龙辉 ;

傅雨 .

中国专利 :CN118954604B ,2025-01-17

[5]

一种高比表面积的类球形纳米氧化钨及其制备方法 [P].

钟俊 ;

金家成 ;

刘莉 ;

朱鹏 ;

张龙辉 ;

傅雨 .

中国专利 :CN118954604A ,2024-11-15

[6]

一种高比表面积氧化钨薄膜及其制备方法和应用 [P].

王伟 .

中国专利 :CN113185136A ,2021-07-30

[7]

一种高比表面积低残氨黄色氧化钨制备用煅烧工艺 [P].

周红水 ;

李祀韬 .

中国专利 :CN113912125A ,2022-01-11

[8]

一种高比表面积蓝钨的制备系统 [P].

廖小丽 ;

谢金明 ;

余春荣 ;

朱亚模 ;

李继红 .

中国专利 :CN204981189U ,2016-01-20

[9]

小粒径、超高比表面积纳米氧化硅的制备方法 [P].

徐翠云 ;

李翔 .

中国专利 :CN104817092B ,2015-08-05

[10]

氧化钨粉体比表面积标准样品的表征方法 [P].

张颖 ;

蒙世合 ;

张卫东 ;

董亮 ;

彭宇 .

中国专利 :CN104458537A ,2015-03-25

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