III族氮化物层叠体

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010575266.4
申请日
2020-06-22
公开(公告)号
CN112133746A
公开(公告)日
2020-12-25
发明(设计)人
矶野僚多 田中丈士
申请人
申请人地址
日本茨城县
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
H01L2910 H01L2906
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
刘新宇;李茂家
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
III族氮化物层叠体 [P]. 
田中丈士 ;
矶野僚多 .
中国专利 :CN112133745A ,2020-12-25
[2]
III族氮化物层叠体及III族氮化物发光元件 [P]. 
小幡俊之 .
中国专利 :CN109075226B ,2018-12-21
[3]
III族氮化物层叠物、半导体元件和III族氮化物层叠物的制造方法 [P]. 
藤仓序章 ;
今野泰一郎 ;
木村健司 ;
后藤修 .
中国专利 :CN113921608A ,2022-01-11
[4]
III族氮化物层叠物、半导体元件和III族氮化物层叠物的制造方法 [P]. 
藤仓序章 ;
今野泰一郎 ;
木村健司 ;
后藤修 .
日本专利 :CN113921608B ,2025-11-25
[5]
氮化铝基板及III族氮化物层叠体 [P]. 
弘中启一郎 ;
木下亨 .
中国专利 :CN104583470A ,2015-04-29
[6]
氮化铝基板及III族氮化物层叠体 [P]. 
弘中启一郎 ;
木下亨 .
中国专利 :CN110589757A ,2019-12-20
[7]
III族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及III族氮化物层叠体 [P]. 
堀切文正 ;
三岛友义 .
中国专利 :CN110191979B ,2019-08-30
[8]
III族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及III族氮化物层叠体 [P]. 
堀切文正 ;
三岛友义 .
中国专利 :CN113684539A ,2021-11-23
[9]
III族氮化物层叠基板和半导体元件 [P]. 
藤仓序章 ;
今野泰一郎 ;
木村健司 .
中国专利 :CN112838148A ,2021-05-25
[10]
III族氮化物层叠基板和半导体元件 [P]. 
藤仓序章 ;
今野泰一郎 ;
木村健司 .
日本专利 :CN112838148B ,2025-12-19