III族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及III族氮化物层叠体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780080600.5

申请日：

2017-11-09

公开(公告)号：

CN110191979B

公开(公告)日：

2019-08-30

发明(设计)人：

堀切文正三岛友义

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C23C1634 C23C1652 C30B2520 H01L21205 G01N2164 G01N2188 H01L2120

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/38 登记生效日:20221118 变更事项:专利权人变更前权利人:住友化学株式会社变更后权利人:住友化学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:专利权人变更前权利人:赛奥科思有限公司学校法人法政大学变更后权利人:学校法人法政大学
2019-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/38 申请日:20171109
2021-07-30	授权	授权
2019-08-30	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及III族氮化物层叠体 [P].

堀切文正 ;

三岛友义 .

中国专利 :CN113684539A ,2021-11-23

[2]

III族氮化物层叠体 [P].

田中丈士 ;

矶野僚多 .

中国专利 :CN112133745A ,2020-12-25

[3]

III族氮化物层叠体 [P].

矶野僚多 ;

田中丈士 .

中国专利 :CN112133746A ,2020-12-25

[4]

III族氮化物层叠体及III族氮化物发光元件 [P].

小幡俊之 .

中国专利 :CN109075226B ,2018-12-21

[5]

III族氮化物层叠物、半导体元件和III族氮化物层叠物的制造方法 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

木村健司 ;

后藤修 .

中国专利 :CN113921608A ,2022-01-11

[6]

III族氮化物层叠物、半导体元件和III族氮化物层叠物的制造方法 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

木村健司 ;

后藤修 .

日本专利 :CN113921608B ,2025-11-25

[7]

氮化铝基板及III族氮化物层叠体 [P].

弘中启一郎 ;

木下亨 .

中国专利 :CN104583470A ,2015-04-29

[8]

氮化铝基板及III族氮化物层叠体 [P].

弘中启一郎 ;

木下亨 .

中国专利 :CN110589757A ,2019-12-20

[9]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17

[10]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17

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