基于C注入的Ni膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210176636.2

申请日：

2012-05-31

公开(公告)号：

CN102674319B

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

郭辉赵艳黎张玉明汤晓燕张克基

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

C01B3102

IPC分类号：

C30B2902

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 31/02 申请日:20120531 授权公告日:20130925 终止日期:20190531
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346528761 IPC(主分类):C01B 31/02 专利申请号:2012101766362 申请日:20120531
2012-09-19	公开	公开
2013-09-25	授权	授权

共 50 条

[1]

基于C注入的Cu膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤晓燕 ;

张克基 .

中国专利 :CN102674318A ,2012-09-19

[2]

向3C-SiC注入Si的Ni膜退火石墨烯纳米带制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

赵艳黎 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102653400A ,2012-09-05

[3]

基于C注入的Ni膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤晓燕 ;

张克基 .

中国专利 :CN102674317A ,2012-09-19

[4]

基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102505140A ,2012-06-20

[5]

基于C注入的Cu膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤晓燕 ;

张克基 .

中国专利 :CN102674320A ,2012-09-19

[6]

向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

赵艳黎 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102653399A ,2012-09-05

[7]

基于Ni膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

赵艳黎 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102683183A ,2012-09-19

[8]

基于Cu膜辅助退火的石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102505141A ,2012-06-20

[9]

基于Ni膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102505114A ,2012-06-20

[10]

基于Ni膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102583331A ,2012-07-18

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