基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210000365.5

申请日：

2012-01-03

公开(公告)号：

CN102505140A

公开(公告)日：

2012-06-20

发明(设计)人：

郭辉邓鹏飞张玉明张克基雷天民

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B3302 C30B2902

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-20	公开	公开
2012-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101301310100 IPC(主分类):C30B 25/02 专利申请号:2012100003655 申请日:20120103
2015-05-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101715496696 IPC(主分类):C30B 25/02 专利申请号:2012100003655 申请公布日:20120620

共 50 条

[1]

基于Cu膜辅助退火的石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102505141A ,2012-06-20

[2]

基于Ni膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102505114A ,2012-06-20

[3]

基于Ni膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102583331A ,2012-07-18

[4]

基于Ni膜退火的Si衬底上大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

胡彦飞 ;

张玉明 ;

张丰 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183336A ,2013-07-03

[5]

基于C注入的Ni膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤晓燕 ;

张克基 .

中国专利 :CN102674319B ,2012-09-19

[6]

基于Ni膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

赵艳黎 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102938368A ,2013-02-20

[7]

基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102653401B ,2012-09-05

[8]

基于Ni膜退火和氯气反应的大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张丰 ;

张玉明 ;

韦超 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183338A ,2013-07-03

[9]

基于Ni膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张凤祁 ;

张玉明 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102674333B ,2012-09-19

[10]

基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张克基 ;

张玉明 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102674328A ,2012-09-19

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