基于Ni膜退火和氯气反应的大面积石墨烯制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310078983.6

申请日：

2013-03-12

公开(公告)号：

CN103183338A

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

郭辉张丰张玉明韦超雷天民

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

C01B3104

IPC分类号：

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101499125365 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2013100789836 申请日:20130312
2015-04-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714465174 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2013100789836 申请公布日:20130703
2013-07-03	公开	公开

共 50 条

[1]

基于Cu膜退火和氯气反应的大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张丰 ;

张玉明 ;

刘杰 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183339A ,2013-07-03

[2]

基于Ni膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102583331A ,2012-07-18

[3]

基于Ni膜退火的Si衬底上大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

胡彦飞 ;

张玉明 ;

张丰 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183336A ,2013-07-03

[4]

基于Ni膜退火的SiC衬底上大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

韦超 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183524A ,2013-07-03

[5]

基于Cl2反应的大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

吕晋军 ;

张玉明 ;

张克基 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102505113B ,2012-06-20

[6]

基于Cu膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102583329B ,2012-07-18

[7]

基于Cu膜退火的Si衬底上大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

胡彦飞 ;

张玉明 ;

刘杰 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183523A ,2013-07-03

[8]

基于Cu膜退火的SiC衬底上大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

刘杰 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183335A ,2013-07-03

[9]

基于Ni膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张克基 ;

张玉明 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN103165470A ,2013-06-19

[10]

基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102505140A ,2012-06-20

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