半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810127727.0

申请日：

2008-01-14

公开(公告)号：

CN101304044B

公开(公告)日：

2008-11-12

发明(设计)人：

黄善夏

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29417 H01L2706 H01L23522 H01L21336 H01L2128 H01L21822 H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-12	公开	公开
2011-06-08	授权	授权
2010-03-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-03-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101601603550 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2008101277270 申请日:20080114 授权公告日:20110608 终止日期:20140114

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103545179B ,2014-01-29

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109599337A ,2019-04-09

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109786248A ,2019-05-21

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

邵光速 ;

肖德元 ;

邱云松 ;

朱煜寒 .

中国专利 :CN114121818A ,2022-03-01

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

张云香 .

中国专利 :CN113764506A ,2021-12-07

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN107994065B ,2018-05-04

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

吴亮 ;

董天化 ;

柳会雄 ;

金岚 .

中国专利 :CN106206405A ,2016-12-07

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109599366A ,2019-04-09

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

张云香 .

中国专利 :CN113764506B ,2025-03-18

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

宋长庚 ;

金龙灿 .

中国专利 :CN104952801B ,2015-09-30

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