通过多晶金刚石生长辅助的生长单晶金刚石的方法

被引：0

申请号：

CN202080084769.X

申请日：

2020-12-07

公开(公告)号：

CN114787430A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

R·J·巴斯奈特 A·F·巴斯奈特 A·查尔斯埃尔南德斯 W·霍尔伯 T·C·韦德 A·J·布朗

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

C30B2516

IPC分类号：

C30B2518 C30B2510 C30B2512 C30B2904

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

谭冀

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/16 申请日:20201207
2022-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116516476B ,2024-02-13

[2]

MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法 [P].

马孟宇 ;

蔚翠 ;

郭建超 ;

刘庆斌 ;

王亚伟 ;

周闯杰 ;

何泽召 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114686971A ,2022-07-01

[3]

单晶金刚石生长用基底及单晶金刚石的制造方法 [P].

姚吉 ;

汪维峰 .

中国专利 :CN117552097A ,2024-02-13

[4]

基于Ⅱa型天然金刚石的同质外延生长单晶金刚石的方法 [P].

周焱文 .

中国专利 :CN107557858A ,2018-01-09

[5]

金刚石生长 [P].

G·J·达维斯 ;

R·A·查普曼 ;

A·斯特瓦特 ;

L·K·赫德格斯 .

中国专利 :CN1260734A ,2000-07-19

[6]

高速生长金刚石单晶的装置和方法 [P].

李红东 ;

邹广田 ;

吕宪义 ;

金曾孙 .

中国专利 :CN100500951C ,2007-09-19

[7]

单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法 [P].

野口仁 .

中国专利 :CN102041551A ,2011-05-04

[8]

金刚石生长方法 [P].

王忠强 ;

刘南柳 ;

陶仁春 ;

王琦 ;

张国义 ;

王新强 .

中国专利 :CN114059159A ,2022-02-18

[9]

单晶金刚石生长用沉积基底及单晶金刚石的制造方法 [P].

冯曙光 ;

于金凤 ;

李光存 .

中国专利 :CN114182342A ,2022-03-15

[10]

单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法 [P].

野口仁 .

中国专利 :CN102031561A ,2011-04-27

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