基于Ⅱa型天然金刚石的同质外延生长单晶金刚石的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710848399.2

申请日：

2017-09-19

公开(公告)号：

CN107557858A

公开(公告)日：

2018-01-09

发明(设计)人：

周焱文

申请人：

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新四路40号葛洲坝太阳城23号楼101室

IPC主分类号：

C30B2904

IPC分类号：

C30B2520 C30B2514

代理机构：

上海精晟知识产权代理有限公司 31253

代理人：

冯子玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-09	公开	公开
2018-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/04 申请日:20170919
2021-02-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/04 申请公布日:20180109

共 50 条

[1]

一种天然金刚石同质外延生长单晶金刚石的方法 [P].

周焱文 .

中国专利 :CN112899774A ,2021-06-04

[2]

单晶金刚石外延生长方法、单晶金刚石及其片状籽晶 [P].

张军安 .

中国专利 :CN112048760A ,2020-12-08

[3]

金刚石同质外延横向生长方法 [P].

王宏兴 ;

李硕业 ;

王玮 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN104651928A ,2015-05-27

[4]

金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法 [P].

宋建华 .

中国专利 :CN101696515A ,2010-04-21

[5]

单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116516476B ,2024-02-13

[6]

通过多晶金刚石生长辅助的生长单晶金刚石的方法 [P].

R·J·巴斯奈特 ;

A·F·巴斯奈特 ;

A·查尔斯埃尔南德斯 ;

W·霍尔伯 ;

T·C·韦德 ;

A·J·布朗 .

中国专利 :CN114787430A ,2022-07-22

[7]

单晶金刚石、制造单晶金刚石的方法和包含单晶金刚石的工具 [P].

西林良树 ;

辰巳夏生 ;

角谷均 ;

植田晓彦 ;

小林丰 .

中国专利 :CN106460226A ,2017-02-22

[8]

单晶金刚石、使用单晶金刚石的工具以及单晶金刚石的制造方法 [P].

西林良树 ;

辰巳夏生 ;

野原拓也 ;

小林丰 ;

植田晓彦 .

中国专利 :CN107923067A ,2018-04-17

[9]

一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法 [P].

舒国阳 ;

代兵 ;

朱嘉琦 ;

王杨 ;

杨磊 ;

韩杰才 .

中国专利 :CN104775154A ,2015-07-15

[10]

单晶金刚石、使用单晶金刚石的工具以及单晶金刚石的制造方法 [P].

西林良树 ;

辰巳夏生 ;

野原拓也 ;

小林丰 ;

植田晓彦 .

中国专利 :CN113005516A ,2021-06-22

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