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半导体存储器及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710613385.2
申请日：
2017-07-25
公开(公告)号：
CN107301976A
公开(公告)日：
2017-10-27
发明(设计)人：
不公告发明人
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室
IPC主分类号：
H01L218242
IPC分类号：
H01L27108
代理机构：
上海光华专利事务所 31219
代理人：
罗泳文
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-07-14 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20170725 授权公告日:20180525 终止日期:20190725 |
| 2017-10-27 | 公开 | 公开 |
| 2018-05-25 | 授权 | 授权 |
| 2017-11-24 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20170725 |
| 2018-10-26 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8242 登记生效日:20181009 变更事项:专利权人 变更前权利人:睿力集成电路有限公司 变更后权利人:长鑫存储技术有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室 变更后权利人:230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 |