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半导体存储器及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811130811.8
申请日：
2018-09-27
公开(公告)号：
CN110957325B
公开(公告)日：
2020-04-03
发明(设计)人：
刘磊
刘伟
袁愿林
龚轶
申请人：
申请人地址：
215028 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
IPC主分类号：
H01L2711521
IPC分类号：
代理机构：
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人：
孟金喆
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-05-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20180927 |
| 2021-01-22 | 著录事项变更 | 著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/11521 变更事项:申请人 变更前:苏州东微半导体有限公司 变更后:苏州东微半导体股份有限公司 变更事项:地址 变更前:215028 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406 变更后:215028 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406 |
| 2022-04-19 | 授权 | 授权 |
| 2020-04-03 | 公开 | 公开 |