发光二极管的半导体芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821866707.0

申请日：

2018-11-13

公开(公告)号：

CN209709010U

公开(公告)日：

2019-11-29

发明(设计)人：

魏振东吕奇孟李俊贤刘英策

申请人：

申请人地址：

361101 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3362

代理机构：

宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244

代理人：

李高峰;孟湘明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-29	授权	授权

共 50 条

[1]

用于发光二极管的半导体芯片 [P].

邬新根 ;

李俊贤 ;

刘英策 ;

魏振东 ;

周弘毅 .

中国专利 :CN208596700U ,2019-03-12

[2]

用于发光二极管的半导体芯片 [P].

邬新根 ;

李俊贤 ;

刘英策 ;

魏振东 ;

周弘毅 .

中国专利 :CN109192830A ,2019-01-11

[3]

用于发光二极管的半导体芯片 [P].

邬新根 ;

李俊贤 ;

刘英策 ;

魏振东 ;

周弘毅 .

中国专利 :CN109192830B ,2024-04-19

[4]

发光二极管的芯片 [P].

邬新根 ;

李俊贤 ;

刘英策 ;

魏振东 ;

周弘毅 .

中国专利 :CN208478366U ,2019-02-05

[5]

发光二极管芯片、发光二极管 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN209766464U ,2019-12-10

[6]

半导体发光二极管器件 [P].

张昊翔 ;

金豫浙 ;

封飞飞 ;

万远涛 ;

高耀辉 ;

李东昇 ;

江忠永 .

中国专利 :CN202549915U ,2012-11-21

[7]

半导体发光二极管 [P].

郑一权 .

中国专利 :CN101752485A ,2010-06-23

[8]

发光二极管的半导体芯片和电流扩展方法 [P].

魏振东 ;

吕奇孟 ;

李俊贤 ;

刘英策 .

中国专利 :CN109473527A ,2019-03-15

[9]

发光二极管 [P].

吴永胜 ;

林新 ;

林昌江 .

中国专利 :CN210040239U ,2020-02-07

[10]

发光二极管 [P].

吴永胜 ;

汪雪琴 ;

林昌江 .

中国专利 :CN210040240U ,2020-02-07

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