半导体发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910211978.1

申请日：

2009-12-09

公开(公告)号：

CN101752485A

公开(公告)日：

2010-06-23

发明(设计)人：

郑一权

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-23	公开	公开
2010-10-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101035588622 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2009102119781 变更事项:申请人变更前权利人:三星电机株式会社变更后权利人:三星LED株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道水原市登记生效日:20100914
2014-01-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101684904086 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2009102119781 申请公布日:20100623
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101142311534 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2009102119781 申请日:20091209

共 50 条

[1]

半导体发光二极管 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN101118945A ,2008-02-06

[2]

半导体发光二极管 [P].

近藤且章 .

中国专利 :CN100416870C ,2004-08-25

[3]

半导体发光二极管 [P].

张丽蕾 ;

王刚 ;

邵喜斌 .

中国专利 :CN101308841A ,2008-11-19

[4]

半导体发光二极管 [P].

彭晖 ;

闫春辉 ;

柯志杰 .

中国专利 :CN102420280A ,2012-04-18

[5]

半导体发光二极管 [P].

中津弘志 ;

山本修 .

中国专利 :CN1155118C ,2000-03-01

[6]

半导体发光二极管 [P].

吴永胜 ;

张帆 .

中国专利 :CN111081833A ,2020-04-28

[7]

半导体发光二极管 [P].

石川卓哉 ;

荒川智志 ;

向原智一 ;

柏川秋彦 .

中国专利 :CN1256795A ,2000-06-14

[8]

半导体发光二极管 [P].

小岛章弘 ;

下宿幸 ;

杉崎吉昭 ;

秋元阳介 ;

藤井孝佳 .

中国专利 :CN103403889B ,2013-11-20

[9]

一种半导体发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

黄军 ;

张会康 ;

季徐芳 ;

陈三喜 ;

蒙磊 ;

刘紫涵 ;

蓝家彬 ;

王星河 .

中国专利 :CN117691012A ,2024-03-12

[10]

半导体发光二极管组件 [P].

沈佳辉 ;

洪梓健 ;

曾坚信 .

中国专利 :CN102347431A ,2012-02-08

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